高手们不要见死不救啊！难道是不能生成？

这问题问得太笼统，TRIM是什么程序您也没介绍，DAT是什么格式您也没说。。。
大家怎么回答呢？

首先谢谢cgl_lgs,是这样的，trim是我专业上的一个程序。这个程序中需要一个输入文件，这个文件的扩展名是.dat。这个文件可以用记事本编辑。问了师兄，他说这个文件得用fortran语言编写程序生成该文件，我没明白什么意思？想看看大家有什么建议？十分感谢！

没猜错的话，TRIM是一个计算能损的程序，你得弄明白输入表需要哪些东西，每一行，每一列分别是什么变量，然后就明白该怎么准备.dat文件了，用Fortran自动化一些，当然手工编辑也行啊。

谢谢楼上，我手工编辑一下试试，这个文件不是很大

怎么手工编辑呢？有什么程序出来的是.dat文件啊？

建议你看一下TRIM说明书，这有输入文件一个例子

===> SRIM-2008.01 This file controls TRIM Calculations.
Ion: Z1 , M1, Energy (keV), Angle,Number,Bragg Corr,AutoSave Number.
5 11 200 0 20000 0 5000
Cascades(1=No;2=Full;3=Sputt;4-5=Ions;6-7=Neutrons), Random Number Seed
2 0
Diskfiles (0=no,1=yes): Ranges, Backscatt, Transmit, Sputtered,
Collisions(1=Ion;2=Ion+Recoils), Special EXYZ.txt file
0 0 0 1 0 0
Target material : Number of Elements & Layers
"B into W/SiO2/Silicon (Double Peak) " 4 3
PlotType (0-5); Plot Depths: Xmin, Xmax(A) [=0 0 for Viewing Full Target]
1 0 300
Target Elements: Z Mass(amu)
Atom 1 = W = 74 183
Atom 2 = Si = 14 28
Atom 3 = O = 8 16
Atom 4 = Si = 14 28
Layer Layer Name / Width Density W(74) Si(14) O(8) Si(14)
Numb. Description (Ang) (g/cm3) Stoich Stoich Stoich Stoich
1 "Tungsten" 2000 19.3 1 0 0 0
2 "SiO@2" 2000 2.33 0 .333 .666 0
3 "Silicon" 2000 2.32 0 0 0 1
Target layer phases (0=Solid, 1=Gas)
0 0 0
Target Compound Corrections (Bragg)
1 1 1
Individual target atom displacement energies (eV)
21 22 23 22
Individual target atom lattice binding energies (eV)
2.1 2.2 2.3 2.2
Individual target atom surface binding energies (eV)
3.1 3.2 3.3 3.2
Stopping Power Version (1=2006, 0=2006)
0
第一行只是说明
第二行开始是内容，一般两行一组，首先是文字说明，接下来是对应得数据，里面包含了各种信息，具体内容请看说明书，看懂后，编辑适合你要求的输入表就不难了！

谢谢楼上，问题已经解决！